移动固态电子盘主要包括CFast串行存储卡、CompactFlash(CF)、MMC、SD及USB接口模块,由于其内部采用SLC NAND FLASH芯片,无旋转介质,大大提高了产品的MTBF,同时具有高抗冲击、抗震动,无噪音、宽工作温度等特点。
移动存储产品规范如下:
 
 
系列名称: F100   C-320
主要特性: 符合CFast Rev1.0规范,在基于SATA Chipset的系统中替代CF卡,优化先进的寿命及存储块管理,带有扩展命令集的S.M.A.R.T支持, 智能电源故障保护和恢复,内嵌加密算法 符合CFA4.1/3.0规范, 优化的寿命管理,低功耗,无噪音,宽温,S.M.A.R.T支持,智能电源故障保护和恢复,内嵌加密算法
接口类型: CFast - SATA II 3GBit/s, CFast类型I CompactFlash类型I, CFA4.1/3.0/FCC
物理尺寸: 36.4x42.8x3.6mm 36.4x42.8x3.3mm
介质类型: SLC NAND FLASH SLC NAND FLASH
容量指标: 4GB - 32GB 2GB - 32GB
工作温度: -40C-+85C -40C-+85C
存储温度: -55C-+100C -55C-+100C
冲击: 1,500G 1,500G
震动: 20G 20G
湿度: 95% (出厂85% RH85C测试1000小时) 95% (出厂85% RH85C测试1000小时)
数据传送模式: PIO, MDMA2, UDMA6 PIO6, MDMA4, UDMA4
性能指标: 突发传输速率: 300MB/s 突发传输速率: 66MB/s
持续读速率:105MB/s 持续读速率:45MB/s
持续写速率:90MB/s 持续写速率:35MB/s
工作电压: 5V, +/-5% 5V, +/-10% 和3.3V,+/-10% 
典型功耗: UDMA6: 300mA, 最大420ma,空闲:220mA PIO: 60mA(3.3V), DMA:90mA(3.3V),130mA(5V)
工具: API/DLL用于扩展S.M.A.R.T API/DLL用于扩展S.M.A.R.T
典型应用: 嵌入式控制系统、工业控制系统、医疗系统、军用、航空航天、通讯,便携式设备等。 嵌入式控制系统、工业控制系统、医疗系统、军用、航空航天、通讯,便携式设备等。
 
 
系列名称: S-220   S-200u
主要特性: 符合SDA 2.0规范,优化先进的寿命及存储块管理,扩展命令集寿命期监测, 智能电源故障保护和恢复,具有保密特性, 15kV ESD保护 符合SDA 2.0规范,优化先进的寿命及存储块管理,扩展命令集寿命期监测, 智能电源故障保护和恢复,具有保密特性, 15kV ESD保护
接口类型: SDA2.0, SDHC Class 10, SD接口 SDA2.0, MicroSD
物理尺寸: 32.0x24.0x2.1mm 15.0x11.0x1mm
介质类型: SLC NAND FLASH SLC NAND FLASH
容量指标: 4GB - 8GB 512MB - 2GB
工作温度: -40C-+85C -40C-+85C
存储温度: -55C-+100C -55C-+100C
冲击: 1,000G 1,000G
震动: 15G 15G
湿度: 95% (出厂85% RH85C测试1000小时) 95% (出厂85% RH85C测试1000小时)
数据传送模式: 1或4位 SD, SPI 1或4位 SD, SPI
性能指标: 突发传输速率: 25MB/s 突发传输速率: 25MB/s
持续读速率:22MB/s 持续读速率:24MB/s
持续写速率:20MB/s 持续写速率:13MB/s
工作电压: 2.7-3.6V(2.0V可保持基本通讯) 2.7-3.6V(2.0V可保持基本通讯)
典型功耗: 读: 80mA, 写:50mA,睡眠:0.3mA 典型35mA(最大50mA),睡眠:0.3mA
工具: SD命令集寿命监测 SD命令集寿命监测
典型应用: 嵌入式控制系统、工业控制系统、医疗系统、军用、航空航天、通讯,便携式设备等。 嵌入式控制系统、工业控制系统、医疗系统、军用、航空航天、通讯,便携式设备等。
 
 
系列名称: M-100   U-110
主要特性: 符合MultiMedia Card(MMC)规范,优化先进的寿命及存储块管理,扩展命令集寿命期监测, 智能电源故障保护和恢复,具有保密特性 符合USB2.0规范,可引导系统的驱动器,支持最新的系列操作系统,连接器间距可依据需要改变, 强固型设计, 抗冲击
接口类型: MMC3.31, 4.1和4.2, MMC接口 USB2.0 (USB1.1兼容),连接器间距:2.54mm(2.00mm)
物理尺寸: 32.0x24.0x1.4mm 36.8x26.65mm
介质类型: SLC NAND FLASH SLC NAND FLASH
容量指标: 128MB 1GB - 8GB
工作温度: -40C-+90C -25C-+85C
存储温度: -55C-+100C -55C-+100C
冲击: 1,000G 50G
震动: 15G 15G
湿度: 95% (出厂85% RH85C测试1000小时) 95% (出厂85% RH85C测试1000小时)
数据传送模式: 1位 MMC, SPI Full/High速率
性能指标: 突发传输速率: 6.5MB/s USB2.0:  480MB/s (High)
持续读速率:5.7MB/s 持续读速率:32MB/s
持续写速率:5.9MB/s 持续写速率:23MB/s
工作电压: 2.7-3.6V(2.0V可保持基本通讯) 5V,+/-10%
典型功耗: 读写: 8mA(最大15mA),睡眠:0.3mA Full: 90mA, High:100mA
工具: MMC命令集寿命监测 Windows SpareBlock read out
典型应用: 嵌入式控制系统、工业控制系统、医疗系统、军用、航空航天、通讯,便携式设备等。 嵌入式控制系统、工业控制系统、医疗系统、军用、航空航天、通讯,便携式设备等。
 
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